Edits to “Условие”, “Решение”, “Ответ”
ru/6.6.18.md
+115 −5
| @@ -1,11 +1,121 @@ | |||
| ### Условие | |||
| + | $6.6.18.$ Проводящий шар радиуса $r$ с зарядом $Q$ окружен слоем диэлектрика, внешний радиус которого $R$. Диэлектрическая проницаемость слоя $\varepsilon$. Найдите поверхностную плотность заряда на внутренней и внешней поверхностях диэлектрического слоя. Нарисуйте линии напряженности электрического поля. Нарисуйте график зависимости напряженности и потенциала поля от расстояния до центра шара. | ||
| − | $6.6.18.$ [Вставьте условие задачи] | ||
| − | |||
| ### Решение | |||
| − | 1 | ||
| − | #### Ответ | ||
| + | Будем использовать теорему Гаусса в форме | ||
| + | $$ | ||
| + | \oint \vec D d\vec S=Q | ||
| + | $$ | ||
| + | $D=\varepsilon_0 E$ в вакууме, $D=\varepsilon\varepsilon_0 E$ в диэлектрике. В такой формулировке учитываются только свободные заряды, то есть индуцированные заряды на поверхности диэлектрика можно игнорировать | ||
| − | |||
| + | Выберем в качестве гауссовой поверхности концетрическую сферу радиусом $\rho$. Естественно, при $\rho < r $ поле нулевое - так как в проводнике его может не быть. | ||
| + | |||
| + | $r\leq \rho< R:$ | ||
| + | $$ | ||
| + | \varepsilon\varepsilon_0 E \cdot 4\pi\rho^2=Q | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | E_1 =\frac{Q}{ 4\pi\rho^2\varepsilon\varepsilon_0} | ||
| + | $$ | ||
| + | $\rho \geq R:$ | ||
| + | $$ | ||
| + | \varepsilon_0 E \cdot 4\pi\rho^2=Q | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | E_2 =\frac{Q}{ 4\pi\rho^2\varepsilon_0} | ||
| + | $$ | ||
| + | Нанеся это на график, получим скачки на границах диэлектрика. | ||
| + | |||
| + | |||
| + | По определению, потенциал в точке на расстоянии $\rho$ от центра системы равен работе сил электрического поля по переносу единичного положительного заряда из этой точки в бесконечность: | ||
| + | |||
| + | $$ \varphi(\rho) = \int_{\rho}^{\infty} E(\rho) \, d\rho $$ | ||
| + | |||
| + | $\rho \ge R$: | ||
| + | |||
| + | $$ \varphi(\rho) = \int_{\rho}^{\infty} \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \rho^2} \, d\rho = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0} \left[ -\frac{1}{x} \right]_{\rho}^{\infty} = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \rho} $$ | ||
| + | |||
| + | На границе диэлектрика ($\rho = R$): | ||
| + | |||
| + | $$ \varphi(R) = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 R} $$ | ||
| + | |||
| + | $r\leq \rho< R:$ | ||
| + | |||
| + | Используя свойство аддитивности интеграла, разобьем путь интеграл на две части (внутри диэлектрика и в вакууме): | ||
| + | |||
| + | $$ \varphi(\rho) = \int_{\rho}^{R} E_1(\rho) d\rho + \int_{R}^{\infty} E_2(\rho) d\rho = \int_{\rho}^{R} \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \varepsilon x^2} \, dx + \varphi(R) $$ | ||
| + | |||
| + | $$ \varphi(\rho) = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \varepsilon} \left[ -\frac{1}{x} \right]_{\rho}^{R} + \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 R} = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \varepsilon} \left( \frac{1}{\rho} - \frac{1}{R} \right) + \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 R} $$ | ||
| + | |||
| + | Автор привёл это примерно к виду: | ||
| + | |||
| + | $$ \varphi(\rho) = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0} \left[ \frac{1}{R} + \frac{1}{\varepsilon} \left( \frac{1}{\rho} - \frac{1}{R} \right) \right] $$ | ||
| + | |||
| + | $0 \le \rho \le r:$ | ||
| + | |||
| + | Так как внутри проводника электростатическое поле отсутствует ($E_1 = 0$), работа по перемещению заряда внутри шара равна нулю. Следовательно, потенциал во всех точках проводника одинаков и равен потенциалу на его поверхности ($\rho = r$): | ||
| + | |||
| + | $$ \varphi(\rho) = \varphi(r) = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0} \left[ \frac{1}{R} + \frac{1}{\varepsilon} \left( \frac{1}{r} - \frac{1}{R} \right) \right] $$ | ||
| + | |||
| + | |||
| + | Итоговое распределение потенциала: | ||
| + | |||
| + | $$ \varphi(\rho) = | ||
| + | \begin{cases} | ||
| + | \dfrac{Q}{4\pi \varepsilon_0} \left[ \dfrac{1}{R} + \dfrac{1}{\varepsilon} \left( \dfrac{1}{r} - \dfrac{1}{R} \right) \right], & 0 \le \rho \le r \\\\ | ||
| + | \dfrac{Q}{4\pi \varepsilon_0} \left[ \dfrac{1}{R} + \dfrac{1}{\varepsilon} \left( \dfrac{1}{\rho} - \dfrac{1}{R} \right) \right], & r < \rho \le R \\\\ | ||
| + | \dfrac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \rho}, & \rho > R | ||
| + | \end{cases} | ||
| + | $$ | ||
| + | |||
| + | |||
| + | Нанесём это на график, тут уже никаких скачков нет. Графики будут выглядеть так: | ||
| + | |||
| + |  | ||
| + | |||
| + | Теперь найдем плотности зарядов на границе | ||
| + | |||
| + | На внутренней границе соприкасаются диэлектрик и проводник. По свойству проводника, весь заряд $Q$ шара сосредоточен на внутренней границе с диэлектриком, пусть его плотность равна | ||
| + | $$ | ||
| + | \sigma=\frac{Q}{4\pi r^2}\tag{1} | ||
| + | $$ | ||
| + | В Иродове для такого случая есть готовая формула, | ||
| + | $$ | ||
| + | \boxed{\sigma'=-\frac{\varepsilon-1}{\varepsilon}\sigma}\tag{2} | ||
| + | $$ | ||
| + | из этого можно сразу записать в ответ | ||
| + | $$ | ||
| + | \sigma_{in}=-\frac{(\varepsilon-1)Q}{4\pi\varepsilon r^2} | ||
| + | $$ | ||
| + | $(2)$ просто выводится. Поле вблизи проводника, измеряемое в диэлектрике: | ||
| + | $$ | ||
| + | E=\frac{\sigma}{\varepsilon\varepsilon_0}\tag{3} | ||
| + | $$ | ||
| + | Плотность индуцированного заряда определяется скачком поляризованности (нормаль к поверхности диэлектрика направлена к центру шара, против поля): | ||
| + | $$ | ||
| + | \sigma'=\vec P\cdot\vec n=-P=-(\varepsilon-1)\varepsilon_0E\tag{4} | ||
| + | $$ | ||
| + | Подставив $(3)$ в $(4)$ получим искомое. Обратите внимание: индуцированный заряд противоположен по знаку $Q$. Савченко не отразил это в ответе | ||
| + | |||
| + | Для внешней границы (нормаль направлена от центра) аналогично | ||
| + | $$ | ||
| + | \sigma'=\vec P\cdot\vec n=P=(\varepsilon-1)\varepsilon_0E\tag{5} | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | E=\frac{Q}{4\pi\varepsilon\varepsilon_0R^2} | ||
| + | $$ | ||
| + | Обратите внимание: мы всё еще рассматриваем поле внутри диэлектрика, отсюда и $\varepsilon$ | ||
| + | $$ | ||
| + | \sigma_{out}=\frac{(\varepsilon-1)Q}{4\pi\varepsilon R^2} | ||
| + | $$ | ||
| + | На этот раз знак у автора он верен. | ||
| + | |||
| + | #### Ответ | ||
| + | $$ | ||
| + | \sigma_{in}=-\frac{(\varepsilon-1)Q}{4\pi\varepsilon r^2} | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | \sigma_{out}=\frac{(\varepsilon-1)Q}{4\pi\varepsilon R^2} | ||
| + | $$ | ||
| @@ -1,11 +1,121 @@ | |||
| ### Условие | ### Условие | ||
| $6.6.18.$ Проводящий шар радиуса $r$ с зарядом $Q$ окружен слоем диэлектрика, внешний радиус которого $R$. Диэлектрическая проницаемость слоя $\varepsilon$. Найдите поверхностную плотность заряда на внутренней и внешней поверхностях диэлектрического слоя. Нарисуйте линии напряженности электрического поля. Нарисуйте график зависимости напряженности и потенциала поля от расстояния до центра шара. | |||
| $6.6.18.$ [Вставьте условие задачи] | |||
| ### Решение | ### Решение | ||
| 1 | |||
| #### Ответ | Будем использовать теорему Гаусса в форме | ||
| $$ | |||
| \oint \vec D d\vec S=Q | |||
| $$ | |||
| $D=\varepsilon_0 E$ в вакууме, $D=\varepsilon\varepsilon_0 E$ в диэлектрике. В такой формулировке учитываются только свободные заряды, то есть индуцированные заряды на поверхности диэлектрика можно игнорировать | |||
| Выберем в качестве гауссовой поверхности концетрическую сферу радиусом $\rho$. Естественно, при $\rho < r $ поле нулевое - так как в проводнике его может не быть. | |||
| $r\leq \rho< R:$ | |||
| $$ | |||
| \varepsilon\varepsilon_0 E \cdot 4\pi\rho^2=Q | |||
| $$ | |||
| $$ | |||
| E_1 =\frac{Q}{ 4\pi\rho^2\varepsilon\varepsilon_0} | |||
| $$ | |||
| $\rho \geq R:$ | |||
| $$ | |||
| \varepsilon_0 E \cdot 4\pi\rho^2=Q | |||
| $$ | |||
| $$ | |||
| E_2 =\frac{Q}{ 4\pi\rho^2\varepsilon_0} | |||
| $$ | |||
| Нанеся это на график, получим скачки на границах диэлектрика. | |||
| По определению, потенциал в точке на расстоянии $\rho$ от центра системы равен работе сил электрического поля по переносу единичного положительного заряда из этой точки в бесконечность: | |||
| $$ \varphi(\rho) = \int_{\rho}^{\infty} E(\rho) \, d\rho $$ | |||
| $\rho \ge R$: | |||
| $$ \varphi(\rho) = \int_{\rho}^{\infty} \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \rho^2} \, d\rho = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0} \left[ -\frac{1}{x} \right]_{\rho}^{\infty} = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \rho} $$ | |||
| На границе диэлектрика ($\rho = R$): | |||
| $$ \varphi(R) = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 R} $$ | |||
| $r\leq \rho< R:$ | |||
| Используя свойство аддитивности интеграла, разобьем путь интеграл на две части (внутри диэлектрика и в вакууме): | |||
| $$ \varphi(\rho) = \int_{\rho}^{R} E_1(\rho) d\rho + \int_{R}^{\infty} E_2(\rho) d\rho = \int_{\rho}^{R} \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \varepsilon x^2} \, dx + \varphi(R) $$ | |||
| $$ \varphi(\rho) = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \varepsilon} \left[ -\frac{1}{x} \right]_{\rho}^{R} + \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 R} = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \varepsilon} \left( \frac{1}{\rho} - \frac{1}{R} \right) + \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0 R} $$ | |||
| Автор привёл это примерно к виду: | |||
| $$ \varphi(\rho) = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0} \left[ \frac{1}{R} + \frac{1}{\varepsilon} \left( \frac{1}{\rho} - \frac{1}{R} \right) \right] $$ | |||
| $0 \le \rho \le r:$ | |||
| Так как внутри проводника электростатическое поле отсутствует ($E_1 = 0$), работа по перемещению заряда внутри шара равна нулю. Следовательно, потенциал во всех точках проводника одинаков и равен потенциалу на его поверхности ($\rho = r$): | |||
| $$ \varphi(\rho) = \varphi(r) = \frac{Q}{4\pi \varepsilon_0} \left[ \frac{1}{R} + \frac{1}{\varepsilon} \left( \frac{1}{r} - \frac{1}{R} \right) \right] $$ | |||
| Итоговое распределение потенциала: | |||
| $$ \varphi(\rho) = | |||
| \begin{cases} | |||
| \dfrac{Q}{4\pi \varepsilon_0} \left[ \dfrac{1}{R} + \dfrac{1}{\varepsilon} \left( \dfrac{1}{r} - \dfrac{1}{R} \right) \right], & 0 \le \rho \le r \\\\ | |||
| \dfrac{Q}{4\pi \varepsilon_0} \left[ \dfrac{1}{R} + \dfrac{1}{\varepsilon} \left( \dfrac{1}{\rho} - \dfrac{1}{R} \right) \right], & r < \rho \le R \\\\ | |||
| \dfrac{Q}{4\pi \varepsilon_0 \rho}, & \rho > R | |||
| \end{cases} | |||
| $$ | |||
| Нанесём это на график, тут уже никаких скачков нет. Графики будут выглядеть так: | |||
|  | |||
| Теперь найдем плотности зарядов на границе | |||
| На внутренней границе соприкасаются диэлектрик и проводник. По свойству проводника, весь заряд $Q$ шара сосредоточен на внутренней границе с диэлектриком, пусть его плотность равна | |||
| $$ | |||
| \sigma=\frac{Q}{4\pi r^2}\tag{1} | |||
| $$ | |||
| В Иродове для такого случая есть готовая формула, | |||
| $$ | |||
| \boxed{\sigma'=-\frac{\varepsilon-1}{\varepsilon}\sigma}\tag{2} | |||
| $$ | |||
| из этого можно сразу записать в ответ | |||
| $$ | |||
| \sigma_{in}=-\frac{(\varepsilon-1)Q}{4\pi\varepsilon r^2} | |||
| $$ | |||
| $(2)$ просто выводится. Поле вблизи проводника, измеряемое в диэлектрике: | |||
| $$ | |||
| E=\frac{\sigma}{\varepsilon\varepsilon_0}\tag{3} | |||
| $$ | |||
| Плотность индуцированного заряда определяется скачком поляризованности (нормаль к поверхности диэлектрика направлена к центру шара, против поля): | |||
| $$ | |||
| \sigma'=\vec P\cdot\vec n=-P=-(\varepsilon-1)\varepsilon_0E\tag{4} | |||
| $$ | |||
| Подставив $(3)$ в $(4)$ получим искомое. Обратите внимание: индуцированный заряд противоположен по знаку $Q$. Савченко не отразил это в ответе | |||
| Для внешней границы (нормаль направлена от центра) аналогично | |||
| $$ | |||
| \sigma'=\vec P\cdot\vec n=P=(\varepsilon-1)\varepsilon_0E\tag{5} | |||
| $$ | |||
| $$ | |||
| E=\frac{Q}{4\pi\varepsilon\varepsilon_0R^2} | |||
| $$ | |||
| Обратите внимание: мы всё еще рассматриваем поле внутри диэлектрика, отсюда и $\varepsilon$ | |||
| $$ | |||
| \sigma_{out}=\frac{(\varepsilon-1)Q}{4\pi\varepsilon R^2} | |||
| $$ | |||
| На этот раз знак у автора он верен. | |||
| #### Ответ | |||
| $$ | |||
| \sigma_{in}=-\frac{(\varepsilon-1)Q}{4\pi\varepsilon r^2} | |||
| $$ | |||
| $$ | |||
| \sigma_{out}=\frac{(\varepsilon-1)Q}{4\pi\varepsilon R^2} | |||
| $$ | |||