Edits to “Условие”, “Решение”, “Ответ”
ru/11.6.9.md
+48 −10
| @@ -1,18 +1,56 @@ | |||
| ### Условие | |||
| − | $11.6.9.$ [Вставьте условие задачи] | ||
| + | $11.6.9.$ Внутри плоского конденсатора параллельно его обкладкам движется со скоростью $v$ проводящая пластина, толщина которой равна половине расстояния между обкладками конденсатора. На обкладках конденсатора поддерживается напряжение $V$ , расстояние между ними $h$. | ||
| + | $а.$ Чему равна индукция магнитного поля внутри проводника? между движущимся проводником и обкладками конденсатора? | ||
| + | |||
| + | $б.$ Как изменится индукция магнитного поля в пластине, если проводник | ||
| + | заменить диэлектриком с диэлектрической проницаемостью $\varepsilon$? | ||
| + | |||
| ### Решение | |||
| + | $a.$ | ||
| + | Систему можно представить как 2 конденсатора: | ||
| + | $$ | ||
| + | \frac{1}{C_{total}}=\frac{h/4}{\varepsilon_0S}+\frac{h/4}{\varepsilon_0S} | ||
| + | $$ | ||
| − | |||
| − | со скоростью v проводящая пластина, толщина которой равна половине рассто- | ||
| − | яния между обкладками конденсатора. На обкладках конденсатора поддержива- | ||
| − | ется напряжение V , расстояние между ними h. | ||
| − | а. Чему равна индукция магнитного поля внутри проводника? между дви- | ||
| − | жущимся проводником и обкладками конденсатора? | ||
| − | б. Как изменится индукция магнитного поля в пластине, если проводник | ||
| − | заменить диэлектриком с диэлектрической проницаемостью ε? | ||
| + | Поле внутри конденсатора: | ||
| + | $$ | ||
| + | E=\frac{\sigma}{\varepsilon_0}=\frac{q}{\varepsilon_0S}=\frac{C_{total}V}{\varepsilon_0S}=\frac{2V}{h} | ||
| + | $$ | ||
| + | Проводящая пластина полностью "вытесняет" поле внутри себя, создавая такое же по модулю противонаправленное поле. Рассмотрим участок, на который пластина сдвинулась за $dt$ (который за $dt$ оказался внутри пластины ) | ||
| + | $$ | ||
| + | \oint\vec{B}d\vec{l}=\mu_0\varepsilon_0\frac{d}{dt}\left(\int\int\vec{E}d\vec{S}\right) | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | B\cdot2l=\mu_0\varepsilon_0vlE | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | B=\frac{\mu_0\varepsilon_0 v V}{h} | ||
| + | $$ | ||
| + | Рассматривая участок, который пластина покинула в течении $dt$, видим, отличие лишь в знаке изменения потока электрического поля, поэтому в этом случае ответ имеет противоположный знак | ||
| + | |||
| + | $б.$ | ||
| + | Поле внутри диэлектрика не исчезает, а уменьшается в $\varepsilon$ раз. Учетм, что напряжение на пластинах конденсатора постоянно, поэтому поле внутри изменится по сравнению с п. $a$ из- за изменения ёмкости: | ||
| + | $$ | ||
| + | \frac{1}{C_{total}}=\frac{h/4}{\varepsilon_0S}+\frac{h/4}{\varepsilon_0S}+\frac{h/2}{\varepsilon_0\varepsilon S}=\frac{h(\varepsilon+1)}{2\varepsilon_0\varepsilon S} | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | E=\frac{q}{\varepsilon_0S}=\frac{C_{total}V}{\varepsilon_0S}=\frac{2V\varepsilon}{h(\varepsilon+1)} | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | \oint\vec{B}d\vec{l}=\mu_0\varepsilon_0\frac{d}{dt}\left(\int\int\vec{E}d\vec{S}\right) | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | B\cdot2l=\mu_0\varepsilon_0vl\left(E-\frac{E}{\varepsilon}\right)=\mu_0\varepsilon_0vlE\left(\frac{\varepsilon-1}{\varepsilon}\right) | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | B=\frac{\mu_0\varepsilon_0 v V}{h}\left(\frac{\varepsilon-1}{\varepsilon+1}\right)=B_a\left(\frac{\varepsilon-1}{\varepsilon+1}\right) | ||
| + | $$ | ||
| + | |||
| #### Ответ | |||
| − | [Вставьте краткий ответ или результат в рамке] | ||
| + | $а. B = \frac{\mu_0\varepsilon_0 v V}{h} \ \text{ внутри проводника}, B = −\frac{\mu_0\varepsilon_0 v V}{h} \ \text{ между проводником и обкладками конденсатора.}$ | ||
| + | |||
| + | $б. \text{Уменьшится в } \frac{\varepsilon+1}{\varepsilon-1} \ \text{ раз.}$ | ||
| @@ -1,18 +1,56 @@ | |||
| ### Условие | ### Условие | ||
| $11.6.9.$ [Вставьте условие задачи] | $11.6.9.$ Внутри плоского конденсатора параллельно его обкладкам движется со скоростью $v$ проводящая пластина, толщина которой равна половине расстояния между обкладками конденсатора. На обкладках конденсатора поддерживается напряжение $V$ , расстояние между ними $h$. | ||
| $а.$ Чему равна индукция магнитного поля внутри проводника? между движущимся проводником и обкладками конденсатора? | |||
| $б.$ Как изменится индукция магнитного поля в пластине, если проводник | |||
| заменить диэлектриком с диэлектрической проницаемостью $\varepsilon$? | |||
| ### Решение | ### Решение | ||
| $a.$ | |||
| Систему можно представить как 2 конденсатора: | |||
| $$ | |||
| \frac{1}{C_{total}}=\frac{h/4}{\varepsilon_0S}+\frac{h/4}{\varepsilon_0S} | |||
| $$ | |||
| Поле внутри конденсатора: | |||
| со скоростью v проводящая пластина, толщина которой равна половине рассто- | $$ | ||
| яния между обкладками конденсатора. На обкладках конденсатора поддержива- | E=\frac{\sigma}{\varepsilon_0}=\frac{q}{\varepsilon_0S}=\frac{C_{total}V}{\varepsilon_0S}=\frac{2V}{h} | ||
| ется напряжение V , расстояние между ними h. | $$ | ||
| а. Чему равна индукция магнитного поля внутри проводника? между дви- | |||
| жущимся проводником и обкладками конденсатора? | |||
| б. Как изменится индукция магнитного поля в пластине, если проводник | |||
| заменить диэлектриком с диэлектрической проницаемостью ε? | |||
| Проводящая пластина полностью "вытесняет" поле внутри себя, создавая такое же по модулю противонаправленное поле. Рассмотрим участок, на который пластина сдвинулась за $dt$ (который за $dt$ оказался внутри пластины ) | |||
| $$ | |||
| \oint\vec{B}d\vec{l}=\mu_0\varepsilon_0\frac{d}{dt}\left(\int\int\vec{E}d\vec{S}\right) | |||
| $$ | |||
| $$ | |||
| B\cdot2l=\mu_0\varepsilon_0vlE | |||
| $$ | |||
| $$ | |||
| B=\frac{\mu_0\varepsilon_0 v V}{h} | |||
| $$ | |||
| Рассматривая участок, который пластина покинула в течении $dt$, видим, отличие лишь в знаке изменения потока электрического поля, поэтому в этом случае ответ имеет противоположный знак | |||
| $б.$ | |||
| Поле внутри диэлектрика не исчезает, а уменьшается в $\varepsilon$ раз. Учетм, что напряжение на пластинах конденсатора постоянно, поэтому поле внутри изменится по сравнению с п. $a$ из- за изменения ёмкости: | |||
| $$ | |||
| \frac{1}{C_{total}}=\frac{h/4}{\varepsilon_0S}+\frac{h/4}{\varepsilon_0S}+\frac{h/2}{\varepsilon_0\varepsilon S}=\frac{h(\varepsilon+1)}{2\varepsilon_0\varepsilon S} | |||
| $$ | |||
| $$ | |||
| E=\frac{q}{\varepsilon_0S}=\frac{C_{total}V}{\varepsilon_0S}=\frac{2V\varepsilon}{h(\varepsilon+1)} | |||
| $$ | |||
| $$ | |||
| \oint\vec{B}d\vec{l}=\mu_0\varepsilon_0\frac{d}{dt}\left(\int\int\vec{E}d\vec{S}\right) | |||
| $$ | |||
| $$ | |||
| B\cdot2l=\mu_0\varepsilon_0vl\left(E-\frac{E}{\varepsilon}\right)=\mu_0\varepsilon_0vlE\left(\frac{\varepsilon-1}{\varepsilon}\right) | |||
| $$ | |||
| $$ | |||
| B=\frac{\mu_0\varepsilon_0 v V}{h}\left(\frac{\varepsilon-1}{\varepsilon+1}\right)=B_a\left(\frac{\varepsilon-1}{\varepsilon+1}\right) | |||
| $$ | |||
| #### Ответ | #### Ответ | ||
| [Вставьте краткий ответ или результат в рамке] | $а. B = \frac{\mu_0\varepsilon_0 v V}{h} \ \text{ внутри проводника}, B = −\frac{\mu_0\varepsilon_0 v V}{h} \ \text{ между проводником и обкладками конденсатора.}$ | ||
| $б. \text{Уменьшится в } \frac{\varepsilon+1}{\varepsilon-1} \ \text{ раз.}$ | |||