Правка разделов «Условие», «Решение», «Ответ»
ru/11.6.2.md
+24 −10
| @@ -1,18 +1,32 @@ | |||
| ### Условие | |||
| − | $11.6.2.$ | ||
| + | $11.6.2.$ $а.$ Плоский конденсатор движется со скоростью $v$, как показано на | ||
| + | рисунке. Напряженность электрического поля между пластинами $E$. Определите скорость изменения потока электрического поля через прямоугольный контур $abcd$ и циркуляцию индукции магнитного поля по этому контуру. Как связаны друг с другом искомые величины в СИ? В СГС? | ||
| + | $б.$ Приведите примеры, подтверждающие пропорциональность циркуляции индукции магнитного поля по контуру скорости изменения потока электрического поля через поверхность, ограниченную этим контуром. | ||
| + | |||
| ### Решение | |||
| + |  | ||
| + | $а.$ | ||
| + | $$ | ||
| + | \frac{dN}{dt}=E\frac{dS}{dt}=vlE | ||
| + | $$ | ||
| + | Выберем поверхность, проходящую через конденсатор: | ||
| + | $$ | ||
| + | C_B=\int\vec Bd\vec l =\mu_0\sum I= \mu_0\frac{\sigma l\cdot vdt}{dt}=\mu_0\varepsilon_0 vlE | ||
| + | $$ | ||
| + | Пользуясь решением задачи 11.6.1, можно обобщить это для любой поверхности | ||
| + | $$ | ||
| + | C_B = \mu_0\varepsilon_0\frac{dN}{dt} (в СИ), \ C_B =\frac{1}{c}\frac{dN}{dt}(в СГС). | ||
| + | $$ | ||
| + | $б.$ | ||
| + | Заряжающийся конденсатор: | ||
| − | а. Плоский конденсатор движется со скоростью v, как показано на | ||
| − | ри | ||
| − | скорость изменения потока электрического поля через прямоугольный контур | ||
| − | abcd и циркуляцию индукции магнитного поля по этому контуру. Как связаны | ||
| − | друг с другом искомые величины в СИ? в СГС? | ||
| − | б. Приведите примеры, подтверждающие пропорциональность циркуляции | ||
| − | индукции магнитного поля по контуру скорости изменения потока электрическо- | ||
| − | го поля через поверхность, ограниченную этим контуром. | ||
| + | При зарядке конденсатора ток течёт по проводам, а между обкладками тока нет. Меняющееся электрическое поле между обкладками поддерживает циркуляцию B по контуру, не пересекающему проводник, равной циркуляции по пересекающему $C_B=\mu_0I$ для поверхности, пересекающей проводник | ||
| + | |||
| #### Ответ | |||
| − | [Вставьте краткий ответ или результат в рамке] | ||
| + | $$ | ||
| + | \boxed { а. \frac{dN}{dt} = vlE, C_B = \mu_0\varepsilon_0 vlE, C_B = \mu_0\varepsilon_0\frac{dN}{dt} (в СИ), C_B =\frac{1}{c}\frac{dN}{dt}(в СГС).} | ||
| + | $$ | ||
| @@ -1,18 +1,32 @@ | |||
| ### Условие | ### Условие | ||
| $11.6.2.$ |
$11.6.2.$ $а.$ Плоский конденсатор движется со скоростью $v$, как показано на | ||
| рисунке. Напряженность электрического поля между пластинами $E$. Определите скорость изменения потока электрического поля через прямоугольный контур $abcd$ и циркуляцию индукции магнитного поля по этому контуру. Как связаны друг с другом искомые величины в СИ? В СГС? | |||
| $б.$ Приведите примеры, подтверждающие пропорциональность циркуляции индукции магнитного поля по контуру скорости изменения потока электрического поля через поверхность, ограниченную этим контуром. | |||
| ### Решение | ### Решение | ||
|  | |||
| $а.$ | |||
| $$ | |||
| \frac{dN}{dt}=E\frac{dS}{dt}=vlE | |||
| $$ | |||
| Выберем поверхность, проходящую через конденсатор: | |||
| $$ | |||
| C_B=\int\vec Bd\vec l =\mu_0\sum I= \mu_0\frac{\sigma l\cdot vdt}{dt}=\mu_0\varepsilon_0 vlE | |||
| $$ | |||
| Пользуясь решением задачи 11.6.1, можно обобщить это для любой поверхности | |||
| $$ | |||
| C_B = \mu_0\varepsilon_0\frac{dN}{dt} (в СИ), \ C_B =\frac{1}{c}\frac{dN}{dt}(в СГС). | |||
| $$ | |||
| $б.$ | |||
| Заряжающийся конденсатор: | |||
| а. Плоский конденсатор движется со скоростью v, как показано на | При зарядке конденсатора ток течёт по проводам, а между обкладками тока нет. Меняющееся электрическое поле между обкладками поддерживает циркуляцию B по контуру, не пересекающему проводник, равной циркуляции по пересекающему $C_B=\mu_0I$ для поверхности, пересекающей проводник | ||
| ри |
|||
| скорость изменения потока электрического поля через прямоугольный контур | |||
| abcd и циркуляцию индукции магнитного поля по этому контуру. Как связаны | |||
| друг с другом искомые величины в СИ? в СГС? | |||
| б. Приведите примеры, подтверждающие пропорциональность циркуляции | |||
| индукции магнитного поля по контуру скорости изменения потока электрическо- | |||
| го поля через поверхность, ограниченную этим контуром. | |||
| #### Ответ | #### Ответ | ||
| [Вставьте краткий ответ или результат в рамке] | $$ | ||
| \boxed { а. \frac{dN}{dt} = vlE, C_B = \mu_0\varepsilon_0 vlE, C_B = \mu_0\varepsilon_0\frac{dN}{dt} (в СИ), C_B =\frac{1}{c}\frac{dN}{dt}(в СГС).} | |||
| $$ | |||